Патент на винахід «Спосіб вирощування картоплі на поверхні грунту під шаром мульчі»

У творчій співпраці з Харківським національним технічним університетом ім. П. Василенка (нині – Державним біотехнологічним університетом) тривають дослідження з удосконалення промислової енергозберігаючої технології вирощування картоплі. Отримано патент на винахід «Спосіб вирощування картоплі на поверхні грунту під шаром мульчі», що включає розкладання бульб на поверхні без їх зароблення у грунт та укриття їх шаром мульчі з відпрацьованих матів мінеральної базальтової вати, які щільно укладають по всій поверхні засадженого картопляного поля товщиною не менше 5 см.

Розроблений спосіб забезпечує покращання температурного і водного режимів вирощування та зростання урожайності на 34%.

Авторами розробки є Мельник О.В., Сисенко І.І., Пастухов В.І., Бакум М.В.